1MHZ以内----以差模干扰为主：
1、增大X电容量;
2、添加差模电感;
3、小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHZ---5MHZ---差模共模混合：
采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决。
1、对于差模干扰超标可调整X电容量，添加差模电感器，调差模电感量;
2、对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制;
3、也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
5M---以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔， 铜箔闭环。处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于20--30MHZ：
1、对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;
2、调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;
3、在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布;
4、改变PCB LAYOUT;
5、输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;
6、在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;
7、在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;
8、在变压器的输入电压脚加一个小电容;
9、可以用增大MOS驱动电阻。
30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起：
1、可以用增大MOS驱动电阻;
2、RCD缓冲电路采用1N4007慢管;
3、VCC供电电压用1N4007慢管来解决;
4、或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
5、在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;
6、在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;
7、在变压器的输入电压脚加一个小电容;
8、PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小;
9、变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起：
1、可以在整流管上串磁珠;
2、调整输出整流管的吸收电路参数;
3、可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;
4、也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点)。
5、增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。
200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准。
EMI尽量将有高频电流流过的铜箔做在线路板内侧，将流过直流电的铜箔或是低频电流的铜箔放在外侧，高频大电流铜箔尽量短，用EMC的仪器测试都没有什么问题，当然低端的用Pai型滤波就可以，20W以上则要变压器屏敝+共模电感，当有Y电容时，后级纹波的大小对EMI影响较大;另外变压器用铜箔屏敝比绕线效果要好很多，成本也低。反馈电路有谐振时EMI也很难过，特别是从变压器中出来的一串串高频尖峰电压，会使该频段的MEI数值上升10甚至20DB以上，这在恒流开关电源中比较常见。单是怎样把环路面积做到最少，就是很难的问题，共模滤波部分跟初级怎样布局，大电解电容怎样放置，散热器器怎么做，接地应该怎么样接，都需要考虑，X电容与Y电容的排法，都很有讲究。比如：共模电感下面不要走初级的任何铜线，但滤波电路可以通过，如果有PFC电感，这个电感离共模电感要远，而且这个电感下面最好不要放置控制IC，特别是CRM模式的PFC。