存储的问题已经解决。
LPC1788具有片上512K rom用来运行程序，片上96K SRAM。本人的工程样板还使用了EMC外挂了Nandflash、Norflash和SDRAM。自从工程开始做我就认为片上512K ROM足够使用，就很放心，谁知道在工程接近结尾的时候，突然有一天编译报错，说空间不够了，顿时傻眼了，要知道我还有些功能没实现呢，而且还有后期的升级之类的需要空间啊。Keil的优化等级我开到2级了，还是不行，看来得调整方案了，于是就有了后面一些问题。
首先参照其他高级点ARM芯片的方法，上电BOOTLOADER，把app拷贝到SDRAM运行，可是上网查资料有些说1788不像ARM9那样适合在SDRAM跑程序。据说效率很低，跑起来很慢，我没试过不死心，就决定要尝试一下。而且得知，我这工程情况，向量表偏移最远只能到片内SRAM，到不了片外，所以我把向量表设置在SRAM靠近尾端部分。在bootloader跳转前配置MPU，而且进入APP后，不能再初始化SDRAM，否则导致程序复位再次进入bootloader。
我从bootloader跳转到app后，稍等一两秒的时间，然后又会复位重启。我观察了拷贝的向量表，并和app的MAP文件对比，是正确的向量。
后来我调整了思路，先不让app在SDRAM运行，裁剪app使其可以放进片上rom，也就是说，先在rom内bootloader跳转。结果一试居然成了，app顺畅的运行起来了。我再修改app工程配置里的rom地址到SDRAM，结果还是之前一样，bootloader不成功。看来问题不是app的问题，而是bootloader的问题了。
APP在rom内就可以跳转执行，在SDRAM里就不能跳转执行。对比两者的区别，发现在APP在SDRAM的情况，多了一个MPU配置，这是手册明确要求的。现在问题明确了，MPU配置的嫌疑最大。又是一番研究资料，中间不细说。最后发现MPU使能寄存器里也需要使能背景映射。把背景映射一开，bootloader可以成功跳转SDRAM里的app了。
程序是可以跳转了，但是app在SDRAM里运行，果然是慢的要死，龟速啊，果然跟网上其他人反映的一样。这下我有点绝望了，这效果肯定不能用在产品上的。我又把目光盯上了Norflash，大家的普遍意见是，此flash贵，产品使用这个都是土豪。但是为了打开目前困境，我也只能试试了。这里方法同之前SDRAM的方法一样，app里工程配置里，ROM地址改为Norflash里。当然之前的MPU也要增加一个Norflash的块配置。
这次顺利实现了跳转，程序运行效果说实话跟SDRAM里不相上下。估计问题是还是EMC的性能问题吧。一个EMC总线外接NORFLASH+NANDFLASH+SDRAM。明显总线竞争啊，一个时刻只能操作一种存储，执行SDRAM时候，NORFLASH就得停，反之亦然，这样总体估计也快不到哪里去吧。最后我还是得回归到ROM去，优化一下代码，实在不行去掉操作系统，emwin是肯定要的。挤压点空间出来，争取把项目搞完。