1、我从不说51是基础，如果我这么说，也请把这句话理解为微机原理是基础。
2、对51单片机的操作本质上就是对寄存器的操作，对其他单片机也是如此。库只是一个接口，方便使用者使用而已。
3、汇编语言在工作中很少用到，了解就好。
4、51单片机的P0口很特别。
5、C语言就是C语言，51单片机就是51单片机，算法就是算法，外围电路就是外围电路，传感器就是传感器，通信器件就是通信器件，电路图就是电路图，PCB图就是PCB图，仿真就是仿真。
当你以后再也不使用51了，C语言的知识还在，算法的知识还在，搭建单片机的最小系统的技能还在，传感器和通信器件的使用方法还在，还会画电路图和PCB图，当然也会仿真。
6、51单片机是这个：
7、当程序调试不如人意的时候，静下心来好好查资料，51单片机最大的好处就是网上资料非常多，你遇到的问题别人肯定也遇到过。作为学习者，问人可能更方便点，但一直这样是培养不出解决问题的能力的。
8、有些单片机初学者觉得看例程不好，觉得就等于看答案一样有罪恶感。其实对初学者来说，看例程理解例程再看例程的注解是最好的学习途径。做实验做课程设计做参赛作品的时候也是可以移植程序的，不需要自己重新实现。（当然老师布置的作业还是独立完成好）
但是，要清楚，移植程序不等于学习单片机，最重要的是知道例程是怎样的框架及实现方法。初始化了哪些寄存器，做了哪些引脚配置，调用了哪些函数，那些函数又是怎么实现的，设置了哪些中断，用到了哪些片上资源（UART、ADC等），查询了哪些状态，如果状态变化（触发事件）又会做些什么等等。由此整理出一个流程图并知道其实现方式，基本上这个例程就学习得差不多了。
总结51单片机之上拉电阻
(1) 用于为OC和OD门电路，提供驱动能力。
以OC(集电极开路)电路为例：
例如，达林顿管(其实就是复合三级管)集成块ULN2003. 内部一路的电路如图，就是一个集电极开路电路。
如果不加上拉电阻是无法高电平驱动其他器件的。因为当三极管截至市没有电流流通的路径，更谈不上驱动了。这个跟单片机P0口加上拉电阻的原理一样。
(2)提高高电平电位:
单片机P1口外接4×4矩阵键盘。另外复用P1.0~P1.3外接ULN2003控制驱动步进电机。
实验中遇到的问题：当接入ULN2003时键盘无法工作，去掉ULN2003后键盘工作正常。ULN2003工作正常。(注，两个部分不同时工作)
问题分析：由于键盘的结构，无非就是两个金属片的接通或断开。但是接入ULN2003 后无法正常工作,说明是接入ULN2003影响到了P1口电平的变化。用万用表测的电压，当单片机输出高电平时，P1.0～P1.3电压1V左右，P1.4~P1.7电压4.3V左右，于是测AT89s52高低电平的判决电位，在1.3V左右。这样P1.0~P1.3始终是低电平，键盘根本无法实现扫描功能。
解决方法，只要抬高P1口高电平时的电位，就可以正常工作，
1. 在P1口到ULN2003上串接电阻，起到分压的作用，就可以抬高电平。
2. 给P1口接上拉电阻，跟P1口内部电阻并联，减小上拉电阻阻值，减小分得的电压，从而抬高P0口高电平电位。
采用第二种方案可以抬高电平到2.5V左右。键盘工作正常。
另外：我在做液晶显示实验的时候，数据线用的P0口，无法正常工作，不显示字符。但是乱动一下数据线就可以完成显示，但是显示现象并不正常，字符不是一次写入，而是乱动几次才能写完全部内容，正常应该一次全部显示 。原因是由于，我的P0口中有六个端口都外接并联三个发光二极管。，因为从资料上查到，P0口每一个端口最大可以吸收10MA电流，总电流不能超过26MA电流。这样算我的总电流已经到了40MA,呵呵。见笑了。所以怀疑是驱动的问题。于是去掉了几个二极管。显示一切正常。似乎问题已经解决，但总觉得还是有点问题，于是又经过几次试验，发现只有当P0.7端口的并联二极管去掉一个，再在其他端口接上一个发光二极管。此时也可以正常显示。但是这样P0口吸收电流在38MA，也超过了26MA不少。所以不是吸收电流太大的问题。仔细分析当端口并联外接三个二极管的时候等效于加了一个700欧左右的电阻，于是把二极管去掉换成一个1k电阻，液晶也无法显示。
经过仔细分析，我认为，由于P0.7是液晶忙信号的返回线路当这个端口返回高电平时说明，液晶正在处理数据，无法接收新的数据，返回0时说明空闲，可以接收新数据。
这样当上拉电阻太小了，液晶返回低电平时就有可能高过1.3V(AT89s52高低电平的判决电位)，单片机接收到后，不会当作低电平，当然也就无法显示了。(程序设计的时检测到忙信号，继续检测)
总结：上拉电阻选择也有要求，呵呵。既不是越高越好也不是越低越好。根据需要选择。
这可能也叫，阻抗匹配吧。