俗话说的好“人命关天”。我们医疗领域是不容有丝毫的差错的。高可靠性是对器件提出了很高的要求。那么富士通半导体FRAM与传统存储器件相比具体有哪些优势让我们不得不选择它呢?
首先，与传统非易失性存储器相比，FRAM的功耗要小很多，而且写入速度更快。对于类似的写入，FRAM功耗只有EEPROM的1/100。FRAM的写入时间是EEPROM的1/40000，达到SRAM和DRAM这些传统易失性存储器的级别。而且，FRAM的读/写耐久性能远远优于EEPROM和Flash存储器。EEPROM和Flash存储器能写入大约100万次(106次)，FRAM最高可写入1013次，或者说写入次数可以达到前两种存储器的1000万倍以上。
其次，使用极化技术保存数据的铁电存储器在遭受辐射时也不会发生数据丢失问题。如果是EEPROM和Flash存储器，保存数据取决于电荷是否存在于器件的存储区，辐射会引起电荷漂移，导致数据被破坏。
最后，无需电池，瞬间断电保护。这一特点特别适合便携式医疗器械的使用，同时能够减少设备维护保养的费用。
通过上述，总结一下其特点：非易失性、低功耗 、高速烧写 、高读写耐久性、抗干扰能力、耐辐射性以及无需电池。这正是为何FRAM能够占领高端医疗设备的主要原因。这些无与匹敌的优点，能够为医疗设备和系统增添新的实用价值。FRAM早已经被用于CT扫描机和其他大型设备当中，在较小型医疗设备中的使用也在不断增加。为了在医疗设备和生物制药的生产控制实现认证的目的，具有FRAM的RFID也变得越来越普及。
在很多国家，FRAM早已经广泛用在智能电表当中，其所具有的快速写入、几乎无限次读/写、低功耗和防篡改等优异特性将推动智能电表未来的发展过程。
我国国网计划2011-2015年在全国范围内安装2.4亿只智能电表，但截至2012年底，我国已经安装1.84亿只智能电表，2013年前两批智能电表招标量就已经达到4109.45万只。而今明两年，智能电表的招标数量预计保持每年7000-8000万台。
智能电表的快速发展，使得消费者对电表数据的准确性日益关注。FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。其特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。这些优势使得FRAM越来越多地被需要高可靠性的应用领域所采用。
智能电表中FRAM具体完成了什么其他不能完成的任务，它给智能电表带来什么好处?
1.实时记录数据。电网智能电表中的测量单元可使用数据日志系统，实时地记录能耗和相关变化。采用这种系统，要求以大约每秒两次的频率写入数据。通信单元的数据日志系统把数据存储下来，用于监控电网的工作状态和控制数据，保证电能的分配达到最优。比较理想的方法是频繁记录这些数据，这时FRAM的快速写入和可以频繁读/写的特性就变得非常有用。
2.减少能耗。FRAM有助于减少智能电表的总功耗。使用智能电表，需要监控电池的工作过程，以便确保在发生断电或在没有电源的地方出现无法预料的情况下使电表一直处在工作状态，这就是为什么要求电表的耗电量很小的原因。FRAM的功耗非常低，而且在供电中断的情况下也能保存数据，在减小电表功耗方面非常有用。而且FRAM的低功耗有助于延长电池的使用寿命。
3.提高数据安全性。智能电表存储器保存了家庭用电量的数据。保证私人信息的安全，要求电表具有更高的数据安全性。FRAM具有防篡改功能，使电表的数据安全性比使用传统存储器的系统强得多。在使用FRAM开发智能电表时，确保安全和保证数据可靠性是非常重要的。
由此可见，FRAM占领医疗领域和智能电表行业是由于它自身的优势造成的。相信FRAM的应用领域不仅限于这里。目前计量仪表(三相电表以及水表、气表等)、电力自动化、医疗器械及医疗电子标签、汽车后装设备、POS机/金融ATM机等等行业也都在使用富士通半导体FRAM。2014富士通半导体FRAM市场前景一片光明。