IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐压值为 20V,在IGBT管加超出耐压值的电压时，会导致损坏的危险 此外，在栅极发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过 这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT管发热乃至损坏在应用中，有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感 在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT管就会损坏 为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10千欧左右的电阻。此外，由于IGBT管为MOS结构，对于静电就要十分注意 因此，请注意下面几点：
(1)在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部分当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸;
(2)在用导电材料连接IGBT管的驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
(3)尽量在底板良好接地的情况下操作 如焊接时，电烙铁要可靠接地在安装或更换IGBT管时，应十分重视IGBT管与散热片的接触面状态和拧紧程度，为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT管间涂抹导热硅脂，一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT管发热，从而发生故障，因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT管的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT管工作。
igbt静态参数测试系统
可测试IGBT参数包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、
GFS、rCE等全直流参数，所有小电流指标保证1%重复测试精度，大电流指标保证2%以内重复测试精度。
主极电流可提供400A 500A 800A 1250A大电流测试选项
BR3500测试系统是一项高速多用途半导体分立器件智能测试系统。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力。可真实准确测试达十九大类二十七分类大、中、小功率的半导体分立器件。
一、可测试种类
1.二极管 Diode
2.稳压(齐纳)二极管 Zener
3.晶体管 Transistor(NPN型/PNP型)
4.可控硅整流器(普通晶闸管) SCR
5.双向可控硅(双向晶闸管) TRIAC
6.MOS场效应管 Power MOSFET(N-沟/P-沟)
7.结型场效应管 J-FET (N-沟/P-沟，耗尽型/增强型)
8. 三端稳压器 REGULATOR(正电压/负电压，固定/可变)
9.绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT(NPN型/PNP型)
10.光电耦合器 OPTO-COUPLER(NPN型/PNP型)
11.光电逻辑器件 OPTO-LOGIC
12.光电开关管 OPTO-SWITCH
13.达林顿阵列
14.固态过压保护器 SSOVP
15.硅触发开关 STS
16.继电器 RELAY(A、B、C型)
17.金属氧化物压变电阻 MOV
18.压变电阻 VARISTO
19.双向触发二极管 DIAC
二、技术参数及可实现目标
主极电压：1000V 通过内部设置可扩展到：2000V
主极电流：50A 加选件可扩展到：400A/500A/1000A/1250A
控制极电压：20V 加大电流台选件可扩展到：80V
控制极电流：10A 加大电流台选件可扩展到：40A
电压分辨率：1mV
电流分辨率：100pA 加小电流台选件可扩展到：1pA