2：通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
一、MB 芯片
定义：l BONding (金属粘着)芯片;该芯片属于UEC 的专利产品。
特点：
1：采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。
2：通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
5: 尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB
二、GB芯片
定义：Glue Bonding (粘着结合)芯片;该芯片属于UEC 的专利产品
特点：
1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS (Absorbable STructure)芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
2：芯片四面发光、具有出色的Pattern
3：亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准(8.6mil)
4：双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
三、TS芯片
定义：transparent structure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP 的专利产品。
特点：
1：芯片工艺制作复杂、远高于AS LED
2：信赖性卓越
3：透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高
4：应用广泛
四、AS芯片
定义：Absorbable structure (吸收衬底)芯片;
经过近四十年的发展努力、台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特点：
1：四元芯片、采用 MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮
2：信赖性优良
3：应用广泛