霍尔效应器件电流传感MLX91217和MLX91216的性能解析

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简介:2018 年 11 月 7 日,比利时泰森德洛 - 全球微电子工程公司 Melexis 宣布,凭借其在霍尔效应技术领域积累 20 余年的丰富经验,推出两款全新电流传感 IC--- MLX91217和MLX91216。这两款全新的传感器采用相同的高性能 CMOS 内核:MLX91217 采用传统的霍尔效应技术,而 MLX91216 则采用 Melexis 专有的集磁片 (IMC) 技术。

霍尔效应器件和 IMC-Hall® 器件为设计者提供适用于汽车应用的电流传感解决方案

2018 年 11 月 7 日,比利时泰森德洛 - 全球微电子工程公司Melexis宣布,凭借其在霍尔效应技术领域积累 20 余年的丰富经验,推出两款全新电流传感 IC--- MLX91217和MLX91216。这两款全新的传感器采用相同的高性能 CMOS 内核:MLX91217 采用传统的霍尔效应技术,而 MLX91216 则采用 Melexis 专有的集磁片 (IMC) 技术。

霍尔效应器件电流传感MLX91217和MLX91216的性能解析

这两款器件均针对汽车应用,特别是逆变器相电流监测和直流链路监测应用,而十多年来霍尔效应技术一直是这两种应用的首选解决方案。除牵引电机控制外,这两款器件还适用于其他嵌入式应用,如 DCDC 转换器和蓄电池接线盒,以及任何需要高速、快速响应或高精度(过)电流测量的应用。

由于采用全新 CMOS 内核并已经通过出厂校准,与上一代产品相比,新产品改善了热灵敏度漂移 (33%) 和热零点漂移 (50%)。新产品还引入了更多片上滤波功能和断线检测功能。其中断线检测功能可指示配电中存在的故障。通过片上滤波,可在分辨率与响应时间和传感器带宽之间进行折衷,从而改善信噪比特性。

MLX91217 采用纤薄的 VA (SIP-4) 封装,便于集成至传统的霍尔效应测量环。紧凑的通孔式封装支持各种引线调整和布线方式,因此能够与采用 SMD 技术的 PCB 兼容。

MLX91216 采用传统的 SOIC-8 封装,适用于 SMD 贴装。该器件采用 IMC 技术,可简化电流测量,无需使用外部集磁环,因此装配更简便,同时还能缩减尺寸、减轻重量和降低成本。

上述两款器件均已通过 AEC-Q100的0级认证,适用于汽车应用,可在 -40°C 至 +150°C 的温度范围内工作。

对于发布的新产品,Melexis磁感应产品线经理 Bruno Boury 评论道:“在霍尔效应电流测量领域,我们售出的器件已达到数百万件,我们最新的产品借鉴了我们在该领域的丰富经验。MLX91216 和 MLX91217 的性能相比上一代产品已有明显提升,而且坚固耐用。对于快速发展的现代汽车电气化市场中各种颇具挑战的应用,这两款器件堪称理想之选。”

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