使用过TI DSP 或正在使用的人都知道，DSP 程序可以放在RAM 里面运行，也可以放在FLASH 里面运行。两者有一定的区别：
（1）前者程序运行时，连接着仿真器，后者脱离仿真器;
（2）前者断电程序丢失，后者不会;
（3）前者程序运行速度快，后者慢;
（4）二者空间大小可能不一样（取决于芯片型号）;
（5）前者没有烧写次数的限制，而后者有;
所以在RAM 里面运行适合项目的初期调试，方便快捷，当最终程序全部调试完后，做成产品销售时，将程序烧写到FLASH 里面（特殊场合，比如在做高压的实验时，可以考虑将程序烧写到FLASH 里面调试）。
在上面5 点当中，第3 点我加了强调，在一个实际的项目里面，程序的运行速度是很受关注的，我曾对F28335在FLASH 里运行程序和在RAM 里面运行程序做过对比，相同的代码在FLASH 和RAM 里面运行时间如下表：
表1 FLASH 和RAM 里程序运行区别表
一段程序代码 运行时间RAM 里运行 5usFLASH 里运行 25us
从上表可以看出，RAM 里面运行程序比FLASH 里面运行程序快近5 倍（只对F28335，其它芯片不一定适用），所以寻找一种可以提高程序在FLASH 里运行速度的方法，对提高程序总体性能很有帮助。
通过很多前辈们的努力，终于寻找到一种方法：将程序烧写到FLASH 里面，上电时将程序搬移到RAM 里面运行。这即满足了掉电程序不丢失，又满足了程序运行速度高的要求，可谓一箭双雕。
本人在遇到这个问题以后，对这种方法很感兴趣，想尝试一下，找了很多资料（包括理论和实践），摸索了一天一点头绪都没有，用TI FLASH 例程也能够烧进去，但程序执行不对。开始有点灰心了，但又不死心。继续研究了一天，发现TI 给的例程和网上一些热心网友们给的例程都是将指定的代码搬移到FLASH 里面，可以通过：
#pragma CODE_SECTION(函数名, "存储器入口地址");语句完成，感觉很简单，但就是调试不出来。最后，突然想起来，可不可以不这样做，找一个能够将所有程序均搬移到RAM 里面的方法。
……
中间省略号就是本人奋斗的过程，开始之前就讲了，写这些文字是将一种方法分享给大家，至于研究奋斗的过程就不详细描述，不然恐怕说几十页纸都讲不清楚。接下来就一步步教大家如何建立一个能够将FLASH 里面程序上电时搬移到RAM 里面运行的工程。
1、 建立一个工程;（怎么建立省略）
2、 将工程里面源文件（source）的“DSP2833x_SysCtrl.c”、“DSP2833x_usDelay.asm”和“DSP2833x_CodeStartBranch.asm”文件（如果用的是TI 提供的文件就是这四个文件） 分别替换成“ DSP28xxx_SysCtrl.c ”、“ DSP28xxx_usDelay.asm” 和“DSP28xxx_CodeStartBranch.asm” 。
另外，在将“DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm”文件添加到工程里面;
备注： “ DSP28xxx_SysCtrl.c ” 、“ DSP28xxx_usDelay.asm ” 、
“DSP28xxx_CodeStartBranch.asm”和“DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm”
我已经放在附件里面上传了。
3、 添加CMD：“DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd”和“F2833x_nonBIOS_flash.cmd”。
如果工程里面已经有了CMD，要换成这2 个。
备注：“DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd”和“F2833x_nonBIOS_flash.cmd”也
已经放在附件里。
4、 编译烧写。