什么是瓷片电容
瓷片电容（ceramiccapacitor）是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
瓷片电容的分类
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
按瓷介电容电介质又分：1类电介质（NP0，C0G），2类电介质（X7R，2X1）和3类电介质（Y5V，2F4）瓷介电容器。EIARS-198。
瓷片电容的作用
MLCC（1类）—微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温。主要应用高高频电路中。
MLCC（2类）—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本。主要应用于中，低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。
瓷片电容计算公式详解
瓷片电容的容量识别方法（根据标识计算电容容量的方法）如下：
瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）/mju:/、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法（nF），1纳法=1000皮法（pF）
1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；
2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；
字母表示法：
1m=1000μF
1P=1pF（如470P=470pF）
1P2=1.2PF
1n=1000PF；
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：
102表示标称容量为10&TImes;10？pF=1000pF；
104表示标称容量为10&TImes;（10^4）pF=100000pF；
470表示标称容量为47pF；
223表示标称容量为（22&TImes;（10^3））pF（即22000pF）。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用“9”表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x10^（-1）pF=2.2pF。
瓷片104电容的计算方法
瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：
1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μF）
1微法（μF）=1000纳法（nF）=1000000皮法（pF）
瓷片电容104是0.1UF，瓷片104电容的计算方法：0.1UF=100NF=100000PF=104。
瓷片电容的优点
1.容量损耗随温度频率具高稳定性
2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
瓷片电容规格有哪些
瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器。
瓷片电容（瓷介电容）作用主要有三个方面：
1、容量损耗随温度频率具高稳定性；
2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性；
3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰。
瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好；III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态。（这是它的弱点）而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态
瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型（HighDielectricConstantType），是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵。其特性符合以下标准：
用途：1）旁路和耦合；2）对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路。