静电防护实际就是通过解决方案让静电释放途径可控，在静电释放时避免损坏器件。本文将通过探究静电生成机理，解析静电分析原理，提出防护静电的有效方法，并给出针对传导性ESD和辐射性ESD的具体解决方案。找对方法，让静电沿着设定的路径走可以变的很轻松！
静电生成机理
电荷经由放电路径而产生在不同电位之间移转现象，即称此为静电放电现象，简称ESD。例如某绝缘的导体（螺丝起子）带有足够高电荷,当它靠近有相反电势的集成电路（IC）时，电荷“跨接”，引起静电放电。
静电放电产生的三个条件：
电荷的积累，静电荷积累在绝缘体上；
静电荷通过接触或感应转移到导体上；
充满静电的导体接近一个金属器件，产生放电。
静电危害对象：
精密芯片：芯片越来越集成、微小，抗击电压也越来越小，极易受到静电电流影响。
MOS器件：MOS器件每条路径都有自己的放电特性，电位差超过路径间的绝缘物的介电强度，会发生介质击穿，从而损坏电路。
PCB板：ESD电流会直接通过电路板烧毁PCB上对ESD敏感的电路元件。
地线：ESD电流经过地线，若接地材质不良会产生高阻抗，形成高干扰电压，会是接地线路对正常工作电路造成干扰。
对ESD敏感的器件还有有微电子器件，分立半导体器件，电阻器基片，压电晶体以及薄膜电路等。