半导体分立器件新产品的可靠性设计基本程序主要为方案设计、初样研制、正样研制及设计定型三个阶段进行（在实际中，可靠性设计程序和产品设计程序是同步进行的，只是着重点不同，本文只介绍可靠性设计程序及其可靠性控制要求）。
1.可靠性设计程序
(1)方案设计
根据用户合同对产品的要求，对相似产品的性能及质量状况、现有能力和条件进行调研；编制计划任务书，分析和确定可靠性设计指标；制订产品可靠性设计方案；进行产品可靠性设计方案论证、审定。
(2)初样研制阶段
本阶段的主要任务是针对失效模式进行专题试验和样品制造可靠性设计；样品试制；方案修正并提出设计报告；初样设计评审。
(3)正样研制及设计定型
这一阶段主要包括正样研制、可靠性评价试验（通过试验失效分析改进设计，并进行“设计一制作一试验评价一改进设计”的循环、正样设计评审和设计定型。
2.可靠性设计程序控制实例
以硅微波脉冲功率晶体管为例，介绍设计方案论证和研制阶段这两个关键程序中可靠性控制技术和方法的实施。
(1)设计方案论证时可靠性设计程序的控制
在方案设计时包括两个重要方面：一个是技术指标设计，另一个是工艺实现设计，而这两个方面都存在可靠性控制要求。
1)技术性能指标和可靠性指标设计的权衡控制
在进行硅微波脉冲功率晶体管技术性能指标设计时应该将可靠性要求考虑进去，因该器件的技术性能指标有很多个，如有最高峰值结温、最大单线（E条）电沆、最大击穿电压等，一般合同中对可靠性指标提的要求不如技术指标提得全面、具体，但实际验收时都有具体要求，并要进行考核。如要保持该器件性能的稳定性，很多时候技术性能指标与可靠性指标有冲突，此时能否找到消除矛盾的最佳设计，或如何平衡指标分配，达到优化设计的目的是最重要的。在对所设计进去的技术性能指标和可靠性指标进行权衡控制时，应结合实际情况，并对已有的成功经验、失败教训都应进行分析和总结，应对被仿制的进口产品进行深入的研究，发现其中有价值的东西（特别是有关可靠性方面）。同时还要利用计算机的专用设计软件帮助达到优化设计的目的。
2)工艺可靠性设计的控制
在工艺实现设计方面遇到的可靠性问题更多，不单是可靠性指标，而更多的是工艺流程的问题和工序成品率的问题。通常工艺越多、越复杂，其可靠性控制就越困难。目前，硅微波脉冲功率晶体管的一工艺流程比GaAs器件工艺流程长近一倍，比二极管长4倍，按串联模式，其可靠度大大降低。因此，在实现工艺可靠性设计方面首先是尽可能缩短工艺流程，其次是必须对每一道工序的工艺设计进行认真的可靠性控制与评估，项目负责人在进行工艺设计论证时，应就此问题对各工艺负责人提出可靠性控制要求，并听取工艺负责人对实现工艺可靠性设计的意见和建议，发现工艺设计中考虑不周的地方，就要调整设计并对工艺实现中遇到的问题提出解决办法。