1、何谓蚀刻(Etch)？
答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
2、蚀刻种类：
答：(1)干蚀刻 (2)湿蚀刻
3、蚀刻对象依薄膜种类可分为:
答：poly，oxide，metal；即多晶，氧化物，金属。
4、半导体中一般金属导线材质为何？
答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu) 。
5、何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)？
答：Oxide etch and nitride etch，即氧化物刻蚀和氮化物刻蚀。
6、半导体中一般介电质材质为何？
答：氧化硅/氮化硅。
7、何谓湿式蚀刻
答：利用液相的酸液或溶剂；将不要的薄膜去除 。
8、何谓电浆 Plasma？
答：电浆是物质的第四状态。带有正，负电荷及中性粒子之总和；其中包含电子，正离子，负离子，中性分子，活性基及发散光子等，产生电浆的方法可使用高温或高电压。
9、何谓干式蚀刻？
答：利用plasma将不要的薄膜去除。
10、何谓Under-etching(蚀刻不足)？
答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留。
11、何谓Over-etching(过蚀刻)
答：蚀刻过多造成底层被破坏。
12、何谓Etch rate(蚀刻速率)
答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度。
13、何谓Seasoning(陈化处理)
答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。
14、Asher的主要用途:
答：光阻去除
15、Wet bench dryer 功用为何？
答：将晶圆表面的水份去除
16、列举目前Wet bench dry方法:
答：(1)Spin Dryer (2)Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
17、何谓 Spin Dryer
答：利用离心力将晶圆表面的水份去除
18、何谓 Maragoni Dryer
答：利用表面张力将晶圆表面的水分去除
19、何谓 IPA Vapor Dryer
答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
20、测Particle时，使用何种测量仪器？
答：Tencor Surfscan
21、测蚀刻速率时,使用何者量测仪器？
答：膜厚计，测量膜厚差值
22、何谓 AEI
答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查
23、AEI目检Wafer须检查哪些项目:
答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤(2) 有无缺角及Particle(3)刻号是否正确
24、金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?
答：清机防止金属污染问题
25、金属蚀刻机台asher的功用为何？
答：去光阻及防止腐蚀
26、金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗？
答：因为金属线会溶于硫酸中
27、"Hot Plate"机台是什幺用途？
答：烘烤
28、Hot Plate 烘烤温度为何？
答：90~120 度C
29、何种气体为Poly ETCH主要使用气体？
答：Cl2, HBr, HCl
30、用于Al 金属蚀刻的主要气体为
答：Cl2, BCl3
31、用于W金属蚀刻的主要气体为
答：SF6
32、何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体？
答：C4F8, C5F8, C4F6
33、硫酸槽的化学成份为:
答：H2SO4/H2O2
34、AMP槽的化学成份为:
答：NH4OH/H2O2/H2O
35、UV curing 是什幺用途？
答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
36、"UV curing"用于何种层次?
答：金属层
37、何谓EMO？
答：机台紧急开关
38、EMO作用为何？
答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下
39、湿式蚀刻门上贴有那些警示标示？
答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (3) 化学药剂危险. 严禁打开此门
40、遇化学溶液泄漏时应如何处置？
答：严禁以手去测试漏出之液体。 应以酸碱试纸测试。并寻找泄漏管路。
41、遇 IPA 槽着火时应如何处置？
答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组
42、BOE槽之主成份为何？
答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵)。
43、BOE为那三个英文字缩写？
答：Buffered Oxide Etcher。
44、有毒气体之阀柜(VMB)功用为何？
答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出
45、电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率？
答：为避免影响通讯品质，目前只开放特定频率，作为产生电浆之用，如380~420KHz，13.56MHz,2.54GHz等
46、何谓ESC(electrical static chuck)
答：利用静电吸附的原理, 将Wafer 固定在极板 (Substrate) 上
47、Asher主要气体为
答：氧气
48、Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何？
答：温度