瞬变二极管的应用
由于瞬变二极管具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
瞬变二极管的特点
将瞬变二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。
静电放电效应能释放超过10000V、60A 以上的脉冲，并能持续10ms；而一般的TTL 器件，遇到超过30ms 的10V脉冲时，便会导至损坏。利用瞬变二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰（Crosstalk）。
将瞬变二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。
瞬变二极管的特性参数
最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。
VWM 是瞬变二极管最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入瞬变二极管的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。
最小击穿电压VBR 和击穿电流IR
VBR是瞬变二极管最小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，瞬变二极管是不导通的。当瞬变二极管流过规定的1mA 电流（IR）时，加入瞬变二极管两极间的电压为其最击穿电压VBR。按瞬变二极管的VBR与标准值的离散程度，可把瞬变二极管分为±5[%]VBR和±10[%]VBR两种。对于±5[%]VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10[%]VBR 来说，VWM=0.81 VBR。
最大箝拉电压VC 和最大峰值脉冲电流IPP
当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP，流过瞬变二极管时，在其两极间出现的最大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC 、IPP反映瞬变二极管器件的浪涌抑制能力。VC 与VBR 之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。
电容量C
瞬变二极管的选用
确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
瞬变二极管额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
瞬变二极管的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
在规定的脉冲持续时间内，瞬变二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的瞬变二极管器件。
根据用途选用瞬变二极管的极性及封装结构。交流电路选用双极性瞬变二极管较为合理，多线保护选用瞬变二极管阵列更为有利。
温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要瞬变二极管在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随瞬变二极管结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50%与击穿电压VBR 随温度的增加，按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。
本篇文章对电路中瞬变三极管的作用、特点、参数、选用进行了较为详细的介绍。是比较适合新手的一篇文章，希望各位在阅读过本篇文章之后，能对瞬变三极管有进一步的了解。
电容量C是瞬变二极管雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C 的大与瞬变二极管的电流承受能力成正比，C过大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用瞬变二极管的重要参数。
最大峰值脉冲功耗PM
PM是瞬变二极管能承受的最大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种瞬变二极管的PM值，请查阅有关产品手册。在给定的最大箝位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大;在给定的功耗PM下，箝位电压VC 越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且瞬变二极管所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能使瞬变二极管损坏。
箝位时间TC
TC是瞬变二极管两端电压从零到最小击穿电压VBR的时间。对单极性瞬变二极管于1×10-12秒；对双极性瞬变二极管于是1×10-11 秒。