ＦＥＴ是Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。
ＦＥＴ与双极晶体管相对应，有时也叫做单极晶体管。如照片２．１所示，ＦＥＴ的外形与双极晶体管几乎相同。
照片２．１ 各种ＦＥＴ（ＦＥＴ的外观与双极晶体管几乎相同。近来，在从小信号到大功率，
从低频到高频的各种类型的器件中得到了广泛应用。外形大的是功率ＭＯＳ）
虽然同样是晶体管，但是双极晶体管与ＦＥＴ的工作原理却完全不同。ＦＥＴ具有双极晶体管所不具备的优点，也有自身的缺点。将难以理解的问题留到后面，现在先从ＦＥＴ的工作原理开始分析。
２．１放大电路的波形
２．１．１ ３倍放大器
图２．１是一个实验电路。整个电路与双极晶体管的发射极接地放大电路相当，只是用ＦＥＴ替换了晶体管。
图２．２是使用双极晶体管的发射极接地放大电路。可以看出两个电路中的电路常数不太相同，图２．１的电路是将图２．２电路中的双极晶体管用ＦＥＴ置换的电路。
图２．１ ＦＥＴ的实验放大电路（单管ＦＥＴ源极接地放大电路，可以认为是发射极接地放大电路中的晶体管被ＦＥＴ置换）
图２．２ 使用双极晶体管的发射极接地放大电路（发射极接地放大电路是双极晶体管最基本的放大电路）
与双极晶体管一样，ＦＥＴ也有三个极，即栅极（Ｇａｔｅ）、源极（Ｓｏｕｒｃｅ）和漏极（Ｄｒａｉｎ）。如果与双极晶体管的各极相对比，如图２．３所示，栅极对应于基极，源极对应于发射极，漏极对应于集电极。
所以，与双极晶体管发射极接地放大电路相对应，图２．１的电路称为源极接地放大电路（Ｃｏｍｍｏｎ Ｓｏｕｒｃｅ Ａｍｌｉｆｉｅｒ）。
照片２．２是装配在普通印刷电路板上的图２．１电路的照片。照片２．３是给它输入１ｋＨｚ、１Ｖ（峰峰）正弦波时的输出波形。 输出约为３Ｖ，所以这个放大电路的放大倍数（电压增益）ｖ是３（＝３Ｖ／１Ｖ）。
输入输出的相位关系也与使用双极晶体管的发射极接地放大电路的情况相同，输出与输入间相位相差１８０°（波形反转）。
图２．３ ＦＥＴ与双极晶体管的各电极（ＦＥＴ与双极晶体管的工作原理完全不同，但是各极间的对应关系可以帮助理解ＦＥＴ的工作原理）
照片２．２ ＦＥＴ的实验放大电路（使用小信号Ｎ沟面结型ＦＥＴ。看起来与晶体管放大电路相同）
照片２．３ 输入电压ｉ与输出电压ｏ的波形（０．５Ｖ／ｄｉｖ，２００ｓ／ｄｉｖ）
（ｉ为１Ｖ，ｏ为３Ｖ，所以是３倍放大器。周期是１ｍｓ，所以频率是１ｋＨｚ，ｉ与ｏ相位相反）
２．１．２ 栅极上加偏压
照片２．４是输入信号ｉ与ＦＥＴ的栅极电位的波形。
的交流成分就是能够通过耦合电容１的输入信号ｉ。的直流成分是由１与２形成的１．７Ｖ电压。这个电压加在ＦＥＴ的栅极上，叫做栅偏压。与双极晶体管相同，ＦＥＴ也需要在栅极上加直流偏压。
照片２．４输入电压ｉ与栅极电压的波形（１Ｖ／ｄｉｖ，２００ｓ／ｄｉｖ）
（的交流成分是ｉ通过１的成分，直流成分是由１与２形成的偏压电压）
２．１．３栅极源极间电压为０．４Ｖ
照片２．５是栅极电位与源极电位ｓ的波形。与ｓ都是交流振幅，相位完全相同。如照片２．４所示，和ｉ的交流波形完全相同，所以源极电位s与输入信号ｉ也具有完全相同的交流波形。
照片２．５栅极电位与源极电位ｓ的波形（１Ｖ／ｄｉｖ，２００ｓ／ｄｉｖ）
（与ｓ的交流成分完全相同，直流电位相差０．４Ｖ。这是ＦＥＴ电路最重要的一点）
可以看出ＦＥＴ的源极接地放大电路与双极晶体管的发射极接地放大电路相同，从源极取出的信号完全没有电压放大作用（电压增益为）。
但是当信号加到栅极，从源极取出信号时，却有电流放大作用。这个电路与双极晶体管的射极跟随器相当，所以称为源极跟随器。
关于源极跟随器将在第４章详细讨论。
照片２．５中示出了ＦＥＴ电路设计中的一个重要问题，就是栅极电位与源极电位ｓ间的电位差。
如照片２．４所示，的直流电位是１．７Ｖ，ｓ的直流电位是２．１Ｖ，比高０．４Ｖ。就是说，在图２．１的电路中，ＦＥＴ栅极与源极之间的电压ＧＳ为０．４Ｖ。源极电位压比栅极电位高（后面将要讲到并不是所有的ＦＥＴ都是０．４Ｖ）。
如图２．４所示，双极晶体管基极与发射极间相当于接入一个二极管，晶体管在放大工作时基极发射极间电压ＢＥ为０．６～０．７Ｖ。而且对于ＮＰＮ晶体管来说，发射极电位比基极低。
图２．４ＢＥ与ＧＳ
（晶体管的ＢＥ是０．６～０．７Ｖ，发射极电位比基极低。图１电路中ＧＳ是０．４Ｖ，源极电位比栅极高）
这就是双极晶体管电路与ＦＥＴ电路工作上最重要的不同点。
２．１．４ＦＥＴ是电压控制器件
双极晶体管是由基极电流控制集电极与发射极之间电流流动的器件，是由电流控制输出的，所以叫做电流控制器件；ＦＥＴ是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流流动的器件，是由电压控制输出的，所以称为电压控制器件。
ＦＥＴ的栅极上没有电流流过（实际上，只有极小的电流流过，比双极晶体管基极电流小得多）。因此在图２．１的电路中，认为漏极电流
ｄ与源极电流ｓ的大小完全相等。
如果换一种理解方法，可以认为图２．１的电路是将如图２．５所示的输入信号ｉ的电压变化量Δｉ（这时为±０．５Ｖ）作为漏极的电流变化量Δｄ（这时为±０．２５ｍＡ）输出的可变电流源。
图２．５将电压的变化变为电流的变化
（换一种理解方法，源极接地放大电路的ＦＥＴ是由输入电压ｉ控制的可变电流源）
２．１．５输出是源极电流的变化部分
照片２．６是源极电位ｓ与漏极电位ｄ的波形。这样看到的栅极电位、源极电位ｓ与输入信号ｉ的波形是相同的。像照片２．６那样，ＦＥＴ的漏极上看到的是被放大了的ｉ的波形，但是，ｄ的波形与ｉ的波形相位相反。
ＦＥＴ的源极所连接的电阻是源极电阻Ｓ。如照片２．５所示，ｓ的振幅为２．１±０．５Ｖ，所以流过Ｓ的电流在以１．０５ｍＡ为中心的±０．２５ｍＡ范围变化（（２．１±０．５）／２ｋΩ＝１．０５±０．２５ｍＡ）。所有从ＦＥＴ
的源极流出的电流都流过Ｓ，所以源极电流ｓ为１．０５±０．２５ｍＡ。
这个电流变化量Δ ｄ通过漏极与电源间连接的电阻——— 漏极负载电阻Ｄ以电阻上产生的电压降的形式呈现出来，因此输出电压再次返回为电压变化量Δ ｄ的形式，从漏极取出。
照片２．６源极电位ｓ与漏极电位ｄ的波形（２Ｖ／ｄｉｖ，２００ｓ／ｄｉｖ）
（ｓ与输入信号ｉ的波形相同，ｄ是放大后的波形。但是，相位是相反的）
２．１．６漏极的相位相反
Ｄ连接在漏极与电源之间，所以这里产生的电压降是以电源为基准的。因此，当输入电压ｉ增加，漏极电流也增加时，Ｄ上的电压降相对于电源也变大，漏极相对于地的电位ｄ（Ｄ与漏极的接点电位）减少。
相反，如果ｉ减少时漏极电流也减少，Ｄ上的电压降变小，ｄ相对于ＧＮＤ增加。因此，相对于ｉ，ｄ的相位是反相的 —— 相位变化１８０°。
由照片２．５和照片２．６可以看出，对于ＦＥＴ源极接地放大电路来说，各极间呈现出的信号的相位关系是栅极源极间同相（相位差为零
），栅极漏极间以及源极漏极间反相。
但是，需要注意的是这只是源极接地时的相位关系，对于后面将要讲到的栅极接地放大电路来说，情况是不同的。这里的情况与双极晶体管发射极接地放大电路相同。照片２．７是漏极电位ｄ与输出电压ｏ的波形。耦合电容２隔断了ｄ的直流成分，取出的输出仅是以０Ｖ为中心摆动的交流成分。
照片２．７漏极电位ｄ与输出电压ｏ的波形（５Ｖ／ｄｉｖ，２００ｓ／ｄｉｖ）
（由于ｄ的直流成分被耦合电容隔断，所以取出的输出仅是以０Ｖ为中心摆动的交流成分）
２．１．７与双极晶体管电路的差别
前面看到的ＦＥＴ的源极接地放大电路是不是与双极晶体管的发射极放大电路完全相同？
实际上几乎是完全相同的，只有一点差别，这就是双极晶体管的基极发射极间电压ＢＥ与ＦＥＴ的栅极源极间电压ＧＳ在电压、极性上有差别。
这一点对于ＦＥＴ电路是非常重要的。只有搞清楚ＧＳ究竟有多大，才能够方便地像使用双极晶体管那样使用ＦＥＴ。
下面将结合ＦＥＴ的工作原理，说明这个ＧＳ的大小。