从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
如何选择耦合电容和旁路电容的参数
我们知道，电容越大，储能越大，可他的时间参数也就越大，在低频放大电路中，耦合电容同时还要考虑到一个“信号耦合量”的问题，即通过电容的交流信号的“流量”，所以一般都选择的比较大，但太大的耦合电容由于它的时间常数大，高频信号通不过，也会引起输出波形畸变或使放大电路产生“饱和失真”，在高频电路中一般都是放大高频电压信号，所以耦合电容一般取得小，有时几PF就够了。
旁路电容在放大电路中是作为交流信号的通道用，也是根据信号所通过的时间和“流量”来选择的，低频放大电路的旁路电容一般都选择得较大，几万PF、几千PF或几百PF。高频电路选择得比较小，几十或几PF就够了。
举个列子，一个采用集电极输出的共基极音频电压放大电路，要求直接推动电流放大电路，电压放大管的射极旁路电容可取4700PF，集电极输出耦合电容可取到20微法。如果这个电路只做中频电压放大，射极旁路电容取470PF就够了，集电极耦合输出0.1微法就够了。
为什么低频要考虑耦合电容的影响
我认为关于“高频要考虑极间电容，低频考虑耦合电容”是针对信号的失真与否来说的。引用《模拟电子技术基本教程》里的一段文字：”在放大电路中，由于耦合电容对于频率足够高的信号相当于短路，使信号几乎无损失地通过；而对于低频信号的容抗不可忽略，造成信号的损失；因而对信号构成了高通电路。与耦合电容相反，由于半导体管极间电容对于低频信号的容抗很大，相当于开路；而当信号频率高到一定程度时，极间电容将分流，导致信号的损失；因而，对信号构成了低通通路。“所以我归纳为：关于“高频要考虑极间电容，低频考虑耦合电容”是针对信号的失真与否来说的。
因为电容的容抗与频率成反比，即频率越低，容抗越大，这导致耦合电容阻碍低频信号的通过。