CMOS发展比TTL晚,但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了TTL。
以下比较两者性能,大家就知道其原因了。
1.CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成
2.CMOS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差
4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)
5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
CMOS发展比TTL晚,但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了TTL。
以下比较两者性能,大家就知道其原因了。
1.CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成
2.CMOS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差
4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)
5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
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