硅单晶有两种方法：直拉法和区熔法，都需要单晶炉设备。
(1)直拉法把装在坩埚内的多晶硅熔融后用一块硅单晶(常称仔晶或晶种)引导，慢慢提起，出坩埚部分凝固后就成硅单晶体(它的硅原子排列方向与仔晶相同)。当把坩埚内的多晶硅熔体全部提出后，一根硅单晶棒就拉成了。
(2)区熔法又分为两种：水平区熔法和立式悬浮区熔法(简称FZ法)。前者主要用于锗、砷化镓等材料。后者主要用于硅，硅密度低(2.33g/cm3、 表面张力大(0.0072N/cm)，能用无坩埚悬浮区熔法。该法是在气氛或真空的炉室中，利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔 区，然后使熔区向上移动进行单晶生长。由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托，悬浮于多晶棒与单晶之间，故称为悬浮区熔法。
由于不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶的纯度高。Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶的氧含量低2～3个数量 级，但其机械强度却不如直拉单晶硅，在器件制备过程中容易产生翘曲和缺陷。在Fz单晶中掺入氮可提高其强度。区熔硅单晶的最大直径为150mm，并已商品 化，直径200mm的产品也已进入市场。
