1、旁路瓷片电容器的电容不能太大，而它的寄生串联电感应尽量小，多个电容并联能改善电容的阻抗特性;?
2、电感的寄生并联电容应尽量小，电感引脚焊盘之间的距离越远越好;
3、避免在地层上放置任何功率或信号走线;?
4、高频环路的面积应尽可能减小;?
5、过孔放置不应破坏高频电流在地层上的路径;
6、系统板上一小同电路需要不同接地层，小同电路的接地层通过单点与电源接地层相连接;?
7、控制芯片至上端和下端场效应管的驱动电路环路要尽量短;
8、开关电源功率电路和控制信号电路元器件需要连接到小同的接地层，这二个地层一般都是通过单点相连接。
1、Y电容放置在需要吸收的地方，接地越近越好，但也要考滤具体的设备结构而定，但有一个原侧就是接地点不要远离Y电容中心接地端。
2、控制IC的CS脚与MOS和S极间的电阻应靠近MOS的S极，因为在此电阻上获取取样较低的电压，距MOS的S极远，总电阻会增加而产生误差，另外也容易受到外部的影响受到干扰，这也要看具体电路，如同步整流电路UCC28950就不是这样，CS分流电阻就离IC很近，原因是CS信号电压比较高，总的原侧是看哪边的电压比较低，IC的CS端就靠近哪边，但在开关电源中CS电阻一定要在SOM最近的接地处。
3、驱动电路应靠近控制IC，因为IC输出的电压不是很高，而驱动电路输出的电压相对比控制IC输出的电压高很多，受到外界影响要小很多。
4、初次极的吸收电路电阻靠近交流输入电压端为好（如经过滤波的+310），因为电阻含有电感成份，易受外部干扰，也同时干扰其它电路，该电阻远离开关元件（如MOS端），次极则是电阻靠近低电压处，如电解的负极接地处。