对于几种常见的存储器：
1、SRAM，异步的静态随机存储器，数据线和地址线可以分别打乱。
但是我们要注意ＳＲＡＭ上面的ＬＢ＃，ＵＢ＃这两个高低字节选择输出信号，如果我们需要对高地字节进行分时或选择输出（输入），那数据线就只能以８位一组来打乱。
２、FLASH
地址线和数据线都不能打乱连接，这里因为FLASH在擦，烧时需要写入相应的命令字，打乱后，擦写不方便。
3、同步静态随机存储器SBSRAM,ZBTRAM（这个用的相对少）
地址线低两位不能乱，其他地址线可以打乱；同组8根数据线可以打乱，不同组间不能弄混。
4、同步动态随机存储器ＳＤＲＡＭ
地址线不能打乱，数据线只能同组８位内打乱。因为它的行列地址是分时发送，而且行列地址位数不同，打乱很可能是存储空间紊乱；而数据线也是受字节选通信号控制，只能在同组内打乱连接。
至于这些存储器为什么可以打乱连接，相信大家很容易明白，那就是物理存储空间跟程序存储空间可以不一样，对于程序而言，我们不必在乎数据具体存储的位置。