驱动上管的电压，应该比供电电压高12~15伏才能驱动上管。
IR2110采用泵的原理。要一输入信号的快速变化来驱动，因此输入信号以PWM信号（10K~20KHz)为好。
如果你的信号不快，可增加泵电容试试。
把电容值改小点，注意二极管要用高压的
功率管必须要接上，否则高压侧没有信号输出。
电容我用的是47UF的，二极管是HER107。
自举二极管可选：mur1100e（安森美）或10etf06（ir）的，电容一般选用胆电容（耐压高一点的），要根据你的管子和开关频率决定其值，开关频率在5k以上，电容用到0.1u就差不多了！
浮动电源的并联电容不能太小也不能太打，1UF-10UF比较合适。
也就是说IR2110适合用在上下管驱动互补的情况下：半桥，BUCK电路的同步整流等场合。
自举电路参数有问题，自居电容容量太小，另外自举电路二极管应串一个几欧姆的小电阻。还应注意启动过程，防止开关管处于欠驱动状态
---------3高压侧悬浮驱动的自举原理
IR2110用于驱动半桥的电路如图2所示。图中C1、VD1分别为自举电容和二极管，C2为VCC的滤波电容。假定在S1关断期间C1已充到足够的电压（VC1≈VCC）。当HIN为高电平时VM1开通，VM2关断，VC1加到S1的门极和发射极之间，C1通过VM1，Rg1和S1门极栅极电容Cgc1放电，Cgc1被充电。此时VC1可等效为一个电压源。当HIN为低电平时，VM2开通，VM1断开，S1栅电荷经Rg1、VM2迅速释放，S1关断。经短暂的死区时间（td）之后，LIN为高电平，S2开通，VCC经VD1，S2给C1充电，迅速为C1补充能量。如此循环反复。
---------4自举元器件的分析与设计
如图2所示自举二极管（VD1）和电容（C1）是IR2110在PWM应用时需要严格挑选和设计的元器件，应根据一定的规则进行计算分析。在电路实验时进行一些调整，使电路工作在最佳状态。
---------4.1自举电容的设计
IGBT和PM（POWERMOSFET）具有相似的门极特性。开通时，需要在极短的时间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端电压比器件充分导通所需要的电压（10V，高压侧锁定电压为8.7/8.3V）要高；再假定在自举电容充电路径上有1.5V的压降（包括VD1的正向压降）；最后假定有1/2的栅电压（栅极门槛电压VTH通常3～5V）因泄漏电流引起电压降。综合上述条件，此时对应的自举电容可用下式表示：C1=（1）
工程应用则取C1>2Qg/(VCC－10－1.5)。
例如FUJI50A/600VIGBT充分导通时所需要的栅电荷Qg=250nC（可由特性曲线查得），VCC=15V，那么
C1=2×250×10－9/(15－10－1.5)=1.4×10－7F
可取C1=0.22μF或更大一点的，且耐压大于35V的钽电容。
---------4.2悬浮驱动的最宽导通时间ton(max)当最长的导通时间结束时，功率器件的门极电压Vge仍必须足够高，即必须满足式（1）的约束关系。不论PM还是IGBT，因为绝缘门极输入阻抗比较高，假设栅电容（Cge）充电后，在VCC=15V时有15μA的漏电流（IgQs）从C1中抽取。仍以4.1中设计的参数为例，Qg=250nC，ΔU=VCC－10－1.5=3.5V，Qavail=ΔU×C=3.5×0.22=0.77μC。则过剩电荷ΔQ=0.77－0.25=0.52μC，ΔUc=ΔQ/C=0.52/0.22=2.36V，可得Uc=10＋2.36=12.36V。由U=Uc及栅极输入阻抗R===1MΩ可求出t（即ton(max)），由===1.236可求出
ton(max)=106×0.22×10－6ln1.236=46.6ms
---------4.3悬浮驱动的最窄导通时间ton(min)
在自举电容的充电路径上，分布电感影响了充电的速率。下管的最窄导通时间应保证自举电容能够充足够的电荷，以满足Cge所需要的电荷量再加上功率器件稳态导通时漏电流所失去的电荷量。因此从最窄导通时间ton(min)考虑，自举电容应足够小。
综上所述，在选择自举电容大小时应综合考虑，既不能太大影响窄脉冲的驱动性能，也不能太小而影响宽脉冲的驱动要求。从功率器件的工作频率、开关速度、门极特性进行选择，估算后经调试而定。
---------4.4自举二极管的选择
自举二极管是一个重要的自举器件，它应能阻断直流干线上的高压，二极管承受的电流是栅极电荷与开关频率之积。为了减少电荷损失，应选择反向漏电流小的快恢复二极管。