一）结型场效应晶体管的检测
1．判别电极与管型
用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。
在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测管为P沟道结型场效应晶体管；在两个阻值均为低阻值的一次测量中，被测管为N沟道结型场效应晶体管。也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等，且为几千欧姆，则这两个电极分别为漏极D和源极S，另一个电极为栅极G。
结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性，可以互换使用。若测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿或已开路损坏。
2．检测其放大能力
用万用表R×100档，红表笔接场效应管的源极S，黑表笔接其漏极D，测出漏、源极之间的电阻值RSD后，再用手捏信栅极G，万用表指针会向左或右摆动（多数场效应管的RSD会增大，表针向左摆动；少数场效应管的RSD会减小，表针向右摆动）。只要表针有较大幅度的摆动，即说明被测管有较大的放大能力。
（二）双栅场效应晶体管的检测
1．电极的判别
大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列顺序是相同的，即从场效应晶体管的底部（管体的背面）看，按逆时针方向依次为漏极D、源极S、栅极G1和栅极G2。因此，只要用万用表测出漏极D和源极S，即可找出两个栅极。
检测时，可将万用表置于R×100档，用两表笔分别测任意两引脚之间的正、反向电阻值。当测出某两脚之间的正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆（其余各引脚之间的电阻值均为无穷大），这两个电极便是漏极D和源极S，另两个电极为栅极G1和栅极G2。
2．估测放大能力
用万用表R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时，用手指捏住两个栅极，加入人体感应信号。若加入人体感应信号后，RSD的阻值由大变小，则说明该管有一定有放大能力。万用表指针向右摆越大，说明其放大能力越强。
3．判断其好坏
用万用表R×10档或R×100档，测量场效应晶体管源极S和漏极D之间的电阻值。正常时，正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆。且黑表笔接漏极D、红表笔接源极S时测得的电阻值较黑表笔接源极S、红表笔接D时测得的电阻值要略大一些。若测得D、S极之间的电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿损坏或已开路损坏。用万用表R×10k档，测量其余各引脚（D、S之间除外）的电阻值。正常时，栅极G1与G2、G1与D、G1与S、G2与D、G2与S之间的电阻值均应为无穷大。若测得阻值不正常，则说明该管性能变差或已损坏。
（三）VMOS大功率场效应晶体管的检测
1．判别各电极与管型
用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D，而另一引脚为栅极G。
再用万用表R×10k档测量两引脚（漏极D与源极S）之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为2kΩ左右，反向电阻值大于500kΩ。
在测量反向电阻值时，红表笔所接引脚不动，黑表笔脱离所接引脚后，先与栅极G触碰一下，然后再去接原引脚，观察万用表读数的变化情况。若万用表读数由原来较大阻值变为0，则此红表笔所接的即是源极S，黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效，说明该管为N沟道场效应管。若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚，若此时万用表读数由原来阻值较大变为0，则此时黑表笔接的为源极S，红表笔接的是漏极D。用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。
2．判别其好坏
用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。
另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。若触发有效（触发栅极G后，D、S极之间的正、反向电阻均变为0），则可确定该管性能良好。
3．估测其放大能力
N沟道VMOS场效应晶体管，可用万用表（R×1k档）的黑表笔接源极S，红表笔接漏极D，此时栅极G开路；万用表指示电阻值较大。再用手指接触栅极G，为该极加入人体感应信号。若加入人体感应信号后，万用表指针大幅度地偏转，则说明该管具有较强的放大能力。若表针不动或偏转幅度不大，则说明该管无放大能力或放大能力较弱。
应该注意的是，此检测方法对少数内置保护二极管的VMOS大功率场效应晶体管不适用。