模拟电路中MOS栅极电阻作用 1、是分压作用2、下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止3、防止栅极出现浪涌过压（栅极上并联的稳压管也是防止过压产生）4、全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥短路5、驱动管和栅极之间的电阻起到... 2023-06-14 模拟电路MOS栅极电阻作用
6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门 由于不间断电源的兴起，IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应，因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格，需要负压驱动进行辅助。当MOSFET作用在电路中时，由于MOSFET速度比较快，因此关断过程中不会产生负压，但值得一提的是，在干扰较重的情况下，这一现象是有助... 2023-06-13 IGBTMOS隔离驱动文章技术应用电源
开关电源的问题及解决方法 项目： UC3845双管反激现象：驱动不稳定，不停的抖动，变压器滋滋叫。调节环路毫无用处，用示波器察看uc3845振荡脚的锯齿波形，发现锯齿波的频率有抖动。UC3845是固定频率的，看来有干扰了。解决办法：把控制电路的地 和功率地严格分开，然后的单点连接。驱动信号稳定，频率固定，变压器不叫了... 2023-06-13 开关电源示波器uc3845振荡脚布局MOS文章技术应用电源
IGBT保护电路设计 本文论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护相关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好，是IGBT保护电路设计必备知识。IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而... 2023-06-13 IGBTMOSSG3525文章课设毕设论文
非隔离型降压式电源设计的分析 非隔离降压型是现在普遍使用的电源结构，其几乎占了日光灯电源百分之九十以上。很多人都以为不隔离电源只有降压型一种，一说不隔离，就想到降压型，就想到说对灯不安全-指电源损坏后。其实降压型只是一种，还有两种基本结构，即升压，和升降压，即BOOST AND BUCK-BOOST，后两种电源即使损... 2023-06-13 开关电源非隔离降压MOS文章课设毕设电源类
适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计 LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比，已成为3G手机基站射频放大器的... 2023-06-13 LDMOSMOSRESURF文章课设毕设论文
MOS管的好坏判断识别技巧方法 一）结型场效应晶体管的检测1．判别电极与管型用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），则可判断黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏... 2023-06-13 模拟电子MOS电子器件万用表文章基础课模拟电路
如何正确使用MOS 集成电路 一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD)，实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损... 2023-06-13 MOS集成电路电路文章基础课模拟电路
一种简单的防短路的保护方法 前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有8... 2023-06-13 防短路MOS电压文章基础课模拟电路
mos场效应管Vgs参数注意事项 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电... 2023-06-13 MOS场效应管Vgs文章基础课模拟电路
MOS场效应管的工作原理 MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide SEMIconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图4。它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由... 2023-06-13 MOS场效应管工作原理文章基础课电子技术基础
场效应晶体管的几点使用技巧 1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的电荷就很难通过这个电阻泄放掉，电荷的累积造成了电压的升高，尤其是在极间电容比较小的情况本下，少... 2023-06-13 场效应晶体管使用技巧MOS文章基础课电子技术基础
高手详解，MOS及MOS驱动电路基础总结 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一... 2023-06-13 MOS驱动电路原理图文章基础课模拟电路
MOS及MOS驱动电路基础总结 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一... 2023-06-13 MOSMOS管MOS驱动电路文章基础课模拟电路
全面解析MOS管特性、驱动和应用电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一... 2023-06-13 MOS驱动电路特性文章基础课模拟电路
MOS与非门或非门构成原理 与非门与非门（英语：NANDgate）是数字逻辑中实现逻辑与非的逻辑门，功能见左侧真值表。若当输入均为高电平（1），则输出为低电平（0）;若输入中至少有一个为低电平（0），则输出为高电平（1）。与非门是一种通用的逻辑门，因为任何布尔函数都能用与非门实现。与非门工作原理①、A、B输入均为低电平时，1... 2023-06-13 MOS工作原理基础知识文章基础课模拟电路
MOS 与非门或非门构成原理 与非门与非门（英语：NANDgate）是数字逻辑中实现逻辑与非的逻辑门，功能见左侧真值表。若当输入均为高电平（1），则输出为低电平（0）;若输入中至少有一个为低电平（0），则输出为高电平（1）。与非门是一种通用的逻辑门，因为任何布尔函数都能用与非门实现。与非门工作原理①、A、B输入均为低电平时，1... 2023-06-13 MOS与非门非门文章基础课模拟电路
