1 单结晶体管的识别
1.1 单结晶体管的结构、外形及特点
单结晶体管（简称UJT）又称双基极二极管，是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的三端半导体器件。它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用电阻接触引出两个基极b，和b，。在硅片中间略偏b，一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。单结晶体管的特性主要表现在具有正的温度系数和具有阻值负向变化的特点上。单结晶体管的结构、符号和等效电路如图1所示。
图1 单结晶体管的结构、符号及等效电路
常见单结晶体管的外形如图2所示。
图2 常见单结晶体管的外形
1.2 单结晶体管的型号命名法
单结晶体管型号命名与二极管、三极管有所不同，其命名组成部分及含义如图3所示。
图3 单结晶体管型号组成部分及含义
单结晶体管型号命名由四部分组成，第一部分表示制作材料，用字母“B”表示半导体，即“半”字第一个汉语拼音字母；第二部分表示种类，用字母“T”表示特种管，即“特”字第一个汉语拼音字母；第三部分表示电极数目，用数字“3”表示有三个电极；第四部分表示单结晶体管的耗散功率，通常只标出第一位有效数字，耗散功率的单位为毫瓦。国产单结晶体管常见的型号有BT3 1、BT32、BT33、BT35等。
1.3 单结晶体管的主要参数
（1）基极间电阻Rbb。发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻一般为2～10kΩ，其数值随温度上升而增大。通常Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。
（2）分压比η。分压比是指Rb1上产生的电压Ub1与两基极电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb。分压比是由管子内部结构决定的常数，一般为0.3～0.9。
（3）e、b1间反向电压Vcb1。b1开路，在额定反向电压Vcb1下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
（4）反向电流Ieo。b1开路，在额定反向电压Vcb2下，e、b2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大，则表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电现象。
（5）发射极饱和压降Veo。在最大发射极额定电流时，e、b1间的压降。
（6）峰点电流Ip。单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。
2 单结晶体管的检测
（1）判断单结晶体管发射极e的方法是：将万用表置于R×1k挡或R×100挡，假设单结晶体管的任一引脚为发射极e，黑表笔接假设发射极，红表笔分别接触另外两引脚测其阻值。当出现两次低电阻时，黑表笔所接的就是单结晶体管的发射极。
（2）单结晶体管b1和b2的判断方法是：将万用表置于R×1 k挡或R×100挡，黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两引脚测阻值，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是b1极。
应当说明的是，上述判别b1、b2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的e、b1间的正向电阻值较小。即使b1、b2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多在脉冲发生器中使用）。当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的b1、b2对调过来就可以了。