使晶闸管正向导通的三种方法
1，门极加触发信号;
2，过高的dv/dt(电压上升率);
3，正向加电压到晶闸管转折点，漏电流迅速上升达到某值时晶闸管导通。
第一种是正确用法，后两种也是晶闸管的固有性能，但不用而且要避免。BOD二极管
有与晶闸管十分相近的芯片结构。硅芯片也是PNPN四层结构，但没有门极。它具有晶闸管上述第三个特性。此处就是用他的这个特性。
用BOD保护晶闸管的电路
BOD串联电阻R1、R2后并联在每个晶闸管的两端，如果串联的晶闸管臂中某个晶闸管未导通，其两端电压很快升高到转折点，漏电流迅速上升达到某值时BOD导通。此时，通过BOD给该晶闸管一个很强的触发电流，使晶闸管强迫导通。
下面简单介绍BOD器件的特性和选用：
1，它虽然有晶闸管一样的四层结构，但它的正反向耐压差距很大。它反向耐压不到10V，使用中切记必须串联一只高压二极管VD1来阻断反向电压。
2，正向耐压UBO最高可达三、四千伏，与晶闸管一样也有低压的，以满足不同电压需要。为保护晶闸管，选用时选晶闸管耐压的70%～80%。
3，上面谈到的过高的dv/dt能使晶闸管导通，同样也会使BOD导通。所以选用的BOD抗dv/dt能力一定要超过被保护的晶闸管。一般选用BOD的dv/dt要大于1000V/μs。