常遇到MOS管Vgs电压过大会损坏管子，但是从原理上看，似乎不然呀？
当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值 时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，形成反型层。
vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
即N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。
只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。
但是Vgs继续加大，比如IRFPS40N60K，
Vgs=100V时，
Vds=0和Vds=400V，两种情况下，对管子功能带来什么影响，若烧坏，原因和内部机理过程是怎样的呢？
Vgs增大会减小Rds（on）减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率
1）MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电，
2）MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大；
Qg=Cgs*Vgs, 但是电荷会持续积累。
3）MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大大增加，外部驱动电压对Millier 电容进行充电，GS 电容的电压不变，Millier 电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小
4）MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压，Millier 电容变小并和GS 电容一起由外部驱动电压充电，GS 电容的电压上升