1)测定器与校正
与作为测定对象的电压值一样，它的波形也很重要。通常，测定器使用示波器，测定电压使用电压探测器。一旦改变示波器和探测器的组合，探测器/示波器的 电压分割元件RC的时间常数就发生变化。因此，在使用探测器之前，必须利用示波器的校正输出、电压，在全频率区域内进行探测补偿，使其衰减程度一致。
进行适当的灵敏度设定（一般在显示屏上3～4p振幅），将输入耦合设定为DC后进行测定。此时，如果探测器的调整用电容和示波器的输入电容不相适应，将无法进行调整，因此请在选择探测器时注意。
2)饱和电压的测定
与一般使用IGBT的电路电压在较高的数百V左右相比，饱和电压为数V左右的低值。另一方面，示波器的显像管大小有限，为了使饱和电压能够精确读出而一旦提高电压灵敏度，则由于示波器内部的增幅器饱和等影响，可能显示与实际不同的波形。
因此，交换动作中的IGBT饱和电压，不能通过直接用示波器测定元件的集电极—发射极间的电压的方法得出。
在此，要测定饱和电压，可以如下图所示的外加电压钳制电路的方法。
图中，稳压二极管ZD是用来限制IGBT断开时的高电压的，通常使用10V以下的齐纳电压的二极管。
R为用于限制电流的电阻，IGBT关断时，电路中的电压几乎全部加在该电阻上，因此需要比较大容量的电阻器。
二极管D为了防止稳压二极管ZD的结电容中积聚的电荷放电，并防止因结电容和电流限制电阻形成滤波器。
3)浪涌电压的测定（集电极-发射极间电压的测定）
IGBT虽然有交换速度快的优点，但是另一方面，关断时电流变化率di/dt很大，诱发应用装置主电路配线电感Is的电压值也变大，该电压加上直流电路的电压，形成尖峰状的电压外加在元件上。需要确认该电压对于元件的最大额定值有充分余量。
浪涌电压虽然是通过示波器测定出元件的端子间的电压，然后直接读出显像管上的数值而得到的，但是测定时仍需注意以下几点：
ⅰ)使用有充分频率的频带的探测器和示波器；
ⅱ)事先调整示波器的灵敏度，调整探测器的频率修正；
ⅲ)测量用探测器与元件的端子直接连接。
用下图中所示电路测定IGBT关断时的浪涌电压时，在电路各部分电感中引发如图所示的极性的电压。现在，要测定浪涌电压，在用VCA代替VCE测定 时，则与实际的VCE相比会低下-I·di/dt，所测定的电压是错误的。因此，测定IGBT的浪涌电压时，就模块端子来说，需要将端子直接与电压探测器 相连接等，对已极度缩小了配线电感I的部分进行测量。
ⅳ)探测器的测定用导线设为最短。
ⅴ)注意不要混入杂波。
电压探测器与被测定电路连接时，示波器的基准电位与交换电路的电位相同。一旦交换电路的对地电位变动很大，经由示波器的电源线流过共模的电流，有可能造成示波器内部电路的误动作。
确认是否有杂波混入有以下几种方法：
①讨论所测定的波形是否可以物理学角度予以说明。
②与用难以受杂波影响的蓄电池电源型示波器所测定的波形作比较。
4)门极电压的测定（门极-发射极间电压的测定）
门极-发射极间的电压与浪涌电压相同，能够通过示波器直接测定。但是，IGBT的门极为电容性的负荷，并且电压探测器中也存在电容性的阻抗，因此，动作中请不要拆装电压探测器进行测定。
另外，测定门极电压时的注意事项与测定浪涌电压时相同。