绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识 绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识1.增强型NMOS管s:Source 源极,d:Drain 漏极,g:Gate 栅极,B:Base 衬底,在P型衬底扩散上2个N 区,P型表面加SiO2绝缘层,在N 区加铝线引出电极。2.增强型PMOS管在N型衬底上扩散上2个P 区,P型表面加SiO2绝缘层,在二个P 区加铝线引出电极。PMOS与NMOS管的... 2023-06-13 效应管IGFET基本知识文章基础课模拟电路