固态继电器是无触点开关，由输入电路，隔离（耦合）和输出电路三部分组成。输入端用微小的控制信号驱动大电流负载。固态继电器具有接触器同样的功能，其优点是输入功率小、灵敏度高、噪声低。使用固态继电器的模温机适用范围更广泛，也更安全。著名的固态继电器品牌有美国快达（Crydom）、欧姆龙。
可控硅和固态继电器的区别是什么？
问的很简练，且看似简单。而答的有三两句，有长篇大论甚至还用了两贴才算了事，可谓五花八门呀。一句问，成百句答。答清楚了吗？到底可控硅和固态继电器的区别是什么？
可控硅可以是单向的，也可以是双向的，可以过零触发也可以移相触发，固态继电器同样是如此的。 所以，他们的用途、形式都是一样类型产品，从这一点上（使用的形式、性质角度）没有区别，因为固态继电器也是可控硅做的（三极管的固态继电器除外）。
那么他们的区别到底在那呢？总不会一个东西，两个名字吧？他们的区别就在于，可控硅就是可控硅，固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。
固态继电器只是相当于一个开关，不能调节电流。可控硅能控制其导通角，能调节电流的大小。
固态继电器其实也是以可控硅为主要部件而制作的，所不同的是，固态继电器动作电压与控制电压通过内部电路例如光耦进行分离的，如果你觉的好奇的话我建议你拆一个固态继电器看看内部，如果你稍懂是电路知识，你完全可以按照里面的电路进行自制一个，呵呵！其实也不是难事，只不过少了一个漂亮的外壳罢了！
可控硅可以是单向的，也可以是双向的，可以过零触发也可以移相触发，固态继电器同样是如此的。所以，他们的用途、形式都有一样类型产品，从这一点上（使用的形式、性质角度）没有区别，因为固态继电器也是可控硅做的（三极管的固态继电器除外）。
那么他们的区别到底在那呢？总不会一个东西，两个名字吧？他们的区别就在于，可控硅就是可控硅，固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。这就是区别。
现在有一种叫“智能化可控硅模块”，他把可控硅元件、同步触发驱动做在一个模块里了，这种可控硅与固态继电器已经无法区分了。当然，从形状上可以区分。
可控硅的工作原理及基本特性 1、工作原理
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化。
状态 条件 说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
两者缺一不可
维持导通 1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可
从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可
2、基本伏安特性
（1）反向特性
当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
（2）正向特性
当控制极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，。
3、触发导通
在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。