igbt及MOSFET隔离驱动技术 为可靠驱动绝缘栅器件,目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时,驱动电路的设计是比较简单的,目前也有了许多优秀的驱动集成电路。1、光电耦合器隔离的驱动器光电耦合器的优点是体积小巧,缺点是:A、反应较慢,因而具有较大的延迟时间(高速型光耦一般也大于300ns... 2023-06-13 IGBTMOSFET隔离驱动技术文章技术应用工业控制
常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总 常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动... 2023-06-13 IGBTMOSFET隔离驱动技术文章基础课其他