MOSFET大功率管损坏的五大原因，因功率和温度造成 1．漏源间的导通电阻RDS(on).MOSFET在导通时漏源之间的电阻并不为零，当有漏极电流I。流过时就会产生导通损耗Pon。当导通损耗Pon超过管子的PDMAx时MOSFET就会因功耗过大而损坏。由于开关电源和DC-DC变换器的电流波形接近于矩形，所以在计算管子的导通损耗Pon时必须先将漏极电... 2023-06-14 功率管损坏原因MOSFET
开关电源技术产业链发展状况分析 开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的... 2023-06-13 开关电源MOSFET文章技术应用电源
igbt及MOSFET隔离驱动技术 为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的，目前也有了许多优秀的驱动集成电路。1、光电耦合器隔离的驱动器光电耦合器的优点是体积小巧，缺点是：A、反应较慢，因而具有较大的延迟时间(高速型光耦一般也大于300ns... 2023-06-13 IGBTMOSFET隔离驱动技术文章技术应用工业控制
DC/DC转换器空间受限的解决方案 世界正在缩小，而相应的电子设备也随之缩小，随着电路功能的增强和密度的提高，PCB的占位面积成为首要的元素。PCB主要被应用的核心功能元件，如微处理器、FPGA、ASIC及其相关的高速数据路径和支持元件所占用。必需的，然而却是人们不想要的供电电源被强制压缩到剩下的有限空间里。... 2023-06-13 DCDC转换器宽电流MOSFET集成型稳压器文章课设毕设电源类
新型预驱动器和MOSFET控制功率负载的解决方案 随着汽车电子设备的不断增多，如自动变速箱，电动后视镜折叠、中控自动门锁等高级功能的普及，我们电控模块的驱动方式也发生了改变，从传统的板内继电器的驱动方案到现在越来越多的半导体驱动芯片（预驱动器、MOSFET）的解决方案。 现在的主流应用是采用板内继电器来控制功率负载。... 2023-06-13 MOSFET预驱动器方案MOSFET预驱动器文章课设毕设电源类
关于防反接保护电路设计的讨论 防反接保护电路1，通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示 这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少... 2023-06-13 防反接保护电路电路设计保护电路MOSFET二极管文章课设毕设电源类
电池电路的工作原理介绍 电池电路工作原理电路具有过充电保护、过放电保护、过电流保护与短路保护功能，其工作原理分析如下： 1、正常状态在正常状态下电路中N1的“CO"与“DO"脚都输出高电压，两个MOSFET都处于导通状态，电池可以自由地进行充电和放电，由于MOSFET的导通阻抗很小，通常小于30毫... 2023-06-13 电池短路保护MOSFETIC文章技术应用电源
开关电源的生产工作原理 开关电源的三个条件：1、开关：电力电子器件工作在开关状态而不是线性状态。2、高频：电力电子器件工作在高频而不是接近工频的低频。3、直流：开关电源输出的是直流而不是交流。开关电源原理是：1、交流电源输入经整流滤波成直流。2、通过高频PWM（脉冲宽度调制）信号控制开关管，将那个... 2023-06-13 开关电源开关变压器MOSFET文章技术应用电源
开关电源电磁兼容研究 电磁兼容学是一门综合性学科，它涉及的理论包括数学、电磁场理论、天线与电波传播、电路理论、信号分析、通讯理论、材料科学、生物医学等。进行开关电源的电磁兼容性设计时，首先进行一个系统设计，明确以下几点：1. 明确系统要满足的电磁兼容标准；2. 确定系统内的关键电路部分，包... 2023-06-13 IGBTMOSFETEMI文章技术应用电源
电源系统开机工作不正常 2 开机工作不正常国内某电视机公司，使用MCU的I/O口直接控制LED背光驱动的升压Boost变换器，发现系统有些能正常工作，有些不能正常工作，有些重复开关机几次后能工作，而且有问题的系统只要正常工作就没有问题，客户找到作者寻求帮助。问题分析：检查系统，发现MCU的供电电压为5V，使用的功... 2023-06-13 电源系统工作不正常MOSFET文章技术应用电源
新型IGBT系统电路保护设计的解决方案 IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力... 2023-06-13 IGBTMOSFETISO7637文章课设毕设其他
电源系统开关控制器的 MOSFET MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于：首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动;其次MOSFET的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电 荷存储效... 2023-06-13 电源系统开关控制器MOSFET文章技术应用电源
详细解析五种PFC的开关管驱动方案 什么是PFC？PFC（Power Factor Correction）-功率因数校正，功率因数，简单的说就是有功功率和视在功率的比值，这里的视在功率被认为是总耗电量，功率因数用来衡量电力被有效的利用程度。功率因数越大，代表电力的有效利用率越高，而功率因数校正就是为了提高用电设备功率因数。通过调理，使... 2023-06-13 MOSFETIGBTPFC文章技术应用电源
解决电池组件中过量电流“泄漏”问题 很多现代便携式设备发货时都必须安装电池，以便客户无需电池安装或充电便可立即开启设备。如果连接至电池的组件有过量电流“泄漏”，那设备到客户手中时可能就没电了。所有组件都有漏电流情况，尽管 IC 组件是主要元凶，但电容器、电路板脏污和湿度也具有不可预测的漏... 2023-06-13 MOSFET电源管理tps3420文章技术应用电源
介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路 MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅... 2023-06-13 MOSFET电源管理文章技术应用电源
电源产品设计，如何对传导功耗进行折中处理 我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，您会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如... 2023-06-13 MOSFET电源管理传导损耗文章技术应用电源
设计一款由12V铅酸电池，直接供电的12V汽车音响系统 汽车系统需要承受高温差、极端输入瞬变和其它多种干扰的影响。汽车中几乎所有的电子产品都需经过严格的测试，以符合汽车电子委员会（AEC）规定的质量体系标准和组件资质。大多数汽车系统采用12V铅酸电池，并且您可能知道，电池的电压几乎在您可以想到的每种情况下都会发生变化：环境... 2023-06-13 MOSFET汽车电子升压转换器LM5175文章技术应用电源
机载高频开关电源的系统构成以及其设计 机载高频开关电源产品专门用于输入交流400Hz的场合，这是特意为了满足军用雷达、航空航天、舰船、机车以及导弹发射等专门用途所设计的。应用户要求，研制出机载高频开关电源产品对电子武器装备系统的国产化，打破国际封锁，提高我军装备的机动性，高性能都有重要的意义。机上可供... 2023-06-13 IGBT开关电源MOSFET文章技术应用电源
怎么能使Simulink的仿真速度更快? 首先是模型的搭建问题。在Simulink环境中建模时，以s域的表达式进行建模时问题要少一些，增大误差限、取消过零检测等可以提高发展速度，减少警告信息。而z域的情况下要注意的问题会多一点。第一点是把模型中的代数环(Algebraic Loop)要消除掉;因为z域处理的数据都是一拍一拍按... 2023-06-13 SIMULINK仿真速度操作系统MOSFET文章软件开发仿真
大电流便携式DC/DC变换中MOSFET功耗 引言众所周知，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。近年来，内核CPU所需的电源电流每两年就翻一番，即便携式内核CPU电源电流需求会高达40A之大，而电压在0.9V和1.75V之间。事实上，尽管电流需求在稳步增长，而留给电源的空间却并没有增加，这个... 2023-06-13 MOSFET文章技术应用光电显示
详解MOSFET的驱动技术及应用 首先，来做一个实验，把一个MOSFET的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根本没有加驱动电压，MOS怎么会导通？用下面的图，来做个仿真：去探测G极的电压，发现电压波形如下：G极的电压居然有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为M... 2023-06-13 MOSFET驱动应用文章课设毕设电源类
选择正确的MOSFET的四个步骤，觉得怎样？ 1.沟道的选择。为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET.在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及... 2023-06-13 MOSFET文章基础课模拟电路
MOSFET（MOS管）原理概述 介绍-INTRODUCTIONMOSFET的全名是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，中文名是金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应管。所以MOSFET的M以前是指METAL，用作栅极（GATE）绝缘层，但现在大多用多晶硅，因其耐温。然而随着半导体尺寸不断缩小，金属作为栅极材料... 2023-06-13 MOSFETMOS管文章基础课电子技术基础
功率MOSFET场效应管特性的详尽解说 对于电子产品的维修员来说，不掌握一些专业的知识，是很难做维修的。那么就要平时多去留心一些重要的电子零部件的知识，比如说MOSFET场效应管，这个东西运用原理及其主要特点有哪些，我们需要详尽的说说。功率MOS场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(PowerMetalOxid... 2023-06-13 功率MOSFET场效应管文章基础课模拟电路
常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总 常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动... 2023-06-13 IGBTMOSFET隔离驱动技术文章基础课其他
