SiC功率器件的封装技术 具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件的最高工作温度局限在175℃。SiC器件的高温工作能力降低了对系统热预算的要求。此外，S... 2023-06-13 SiC功率器件封装技术文章硬件设计PCB设计
工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案 小型辅助电源用SiCMOSFET图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下，MOSFET的最高耐压需要达到1300V。为了确保安全，需要一定的电压余量，因此一般来讲至少需要使用额定电压1500V的产品。当然也可以使用具有同样绝缘击穿电压的Si MOSFET，但损耗将变大，故而需要昂贵且... 2023-06-13 SiCROHM电源驱动文章技术应用电源
SiC和GaN系统设计工程师不再迷茫 SiC和GaNMOSFET技术的出现，正推动着功率电子行业发生颠覆式变革。这些新材料把整个电源转换系统的效率提高了多个百分点，而这在几年前是不可想象的。比如一名设计工程师正在开发功率转换应用，如逆变器或马达驱动控制器，或者正在设计功率因数校正电路（PFC），需要把电源效率提高到9... 2023-06-13 天线DC-DC转换器SiCGaN泰克科技文章课设毕设传感器类
【功率器件心得分享】功率器件在Boost电路中的应用 风能、太阳能等新能源均需经过电力电子变换才能接入电网，随着新能源发电量的逐年攀升，市场对电力电子变换器的要求朝着大功率、高频率、低损耗的方向快步前进。作为传统电力电子变换的开关器件，Si IGBT已难以满足需求，而新型半导体器件SiC MOSFET具有更好的性能，被普遍认为是... 2023-06-13 SiCMOSFETBoost变换电路驱动电源连续工作状态损耗文章基础课电子技术基础
【功率器件心得分享】+GaN与SiC新型功率器件 1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮镓 （ GaN ） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起... 2023-06-13 GaN功率管SiC功放器件SiCMOSFET文章基础课电子技术基础
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